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莱思罗普使用了简单的可见光和柯达生产的现成光刻胶。通过使用更复杂的透镜和化学物质，人们最终可以在硅片上刻出几百纳米尺寸的形状。可见光的波长本身是几百纳米，这取决于颜色，因此随着晶体管越来越小，它最终面临着极限。该行业后来转向波长为248纳米和193纳米的紫外光，紫外光相比可见光可以更精确地雕刻出图形。但这还不够，因此人们将希望寄托在波长为13.5纳米的极紫外光上。
使用EUV带来了新的困难，事实证明这个困难几乎不可能得到解决。在莱思罗普使用显微镜、可见光和柯达生产的光刻胶的地方，所有关键的EUV光刻机部件都必须专门制作，你不能简单地买一个EUV灯泡。要想产生足够的EUV，需要用激光轰击一个小锡球。西盟(Cymer)是由加州大学圣地亚哥分校的两位激光专家创立的公司，自20世纪80年代以来一直是光刻光源领域的主要参与者。该公司的工程师们意识到，最好的方法是以大约每小时200英里的速度在真空中射出一个三千万分之一米直径的小锡球，然后用激光照射锡两次，第一次脉冲加热锡，第二次脉冲将锡球轰成温度约为50万摄氏度的等离子体，这比太阳表面热很多倍。然后，这个轰锡过程每秒重复5万次，以产生制造芯片所需强度的EUV。从那时起，复杂性的增加令人难以置信，而以前莱思罗普的光刻工艺只需借助于一个简单的灯泡作为光源。
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芯片战争